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Si5403DC
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
20
16
12
8
V GS = 10 thru 4 V
5
4
3
2
T C = - 55 °C
T C = 25 °C
4
0
V GS = 3 V
1
0
T C = 125 °C
0
1
2
3
4
5
0.0
0.7
1.4
2.1
2. 8
3.5
0.05
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Output Characteristics
2400
V GS - Gate-to-So u rce V oltage ( V )
Transfer Characteristics
0.04
V GS = 4.5 V
1 8 00
0.03
0.02
0.01
V GS = 10 V
1200
600
C rss
C iss
C oss
0.00
0
0
4
8
12
16
20
0
6
12
1 8
24
30
10
I D - Drain C u rrent (A)
On Resistance vs. Drain Current
1.6
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Capacitance
8
I D = 7.2 A
V DS = 15 V
1.4
V GS = 10 V , I D = 6.0 A
6
V DS = 24 V
1.2
4
2
0
1.0
0. 8
0.6
V GS = 4.5 V, I D = 7.2 A
0
6
12
1 8
24
30
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
Document Number: 68643
S-81443-Rev. A, 23-Jun-08
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
T J - J u nction Temperat u re (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
www.vishay.com
3
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